直击内存技术制高点 传两大国产厂商联合研发HBM3

9月2日消息，HBM高带宽内存在AI时代愈发重要，价值不输高性能GPU本身，也是当前内存技术的制高点，目前生产主要集中在韩国SK海力士、三星及美国的美光公司手中。

国内的存储芯片企业一方面在扩增产能，一方面也在加快从DDR4到DDR5的技术升级，面对HBM内存当然也不会错过机会，韩国ZDNet Korea报道称长江存储YMTC正在联合长鑫存储CXMT合作研发HBM3内存。

两家分家是国内最大的闪存、内存芯片厂商，报道称最快今年底双方就可能订购针对HBM的研发设备。

此前长鑫存储研发过HBM2内存，但HBM3及之后的内存对芯片堆栈的要求更高，而长江存储在闪存研发中积累了丰厚的经验，其Xtacking技术可以将芯片电路混合键合起来。

该技术已经问世5年，长江存储生产的3D闪存已经大量应用，已经量产了270层堆栈的3D闪存，也是全球主要的混合键合专利持有者，2017到2024年间披露的专利数超过119项，比三星的85项还多，目前还在持续增加中。

目前这两家公司还没有回应这一传闻，但不论是合作研发还是自己研发，国产的HBM3e内存最快今年获得认证，2年内开始生产，未来这一市场不会再被美国韩国公司垄断了。

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